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STAC2932FW /射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 300W 50V RF MOS 20dB 175MHz N-Ch
STAC2932FW的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

晶体管极性:N-Channel

技术:Si

Id-连续漏极电流:40 A

Vds-漏源极击穿电压:125 V

增益:20 dB

输出功率:300 W

最小工作温度:- 65 C

最大工作温度:+ 150 C

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:STAC244F

封装:Bulk

配置:Dual Common Source

工作频率:250 MHz

系列:STAC2932F

类型:RF Power MOSFET

商标:STMicroelectronics

正向跨导 - 最小值:5 s

湿度敏感性:Yes

Pd-功率耗散:625 W

产品类型:RF MOSFET Transistors

工厂包装数量:80

子类别:MOSFETs

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

单位重量:2.100 g

供应商STAC2932FW
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STAC2932FWSTMicroelectronicsRF FET - 分立半导体产品1+:¥640.06
10+:¥600.06
100+:¥540.05
250+:¥520.05
500+:¥512.05
1000+:¥488.04
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STAC2932FWSTMicroelectronicsRF FET - 分立半导体产品1+:¥640.06
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10:¥633.8509
25:¥612.7199
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Mouser 贸泽电子
STAC2932FWSTMicroelectronicsRF FET - 分立半导体产品1+:¥640.06
10+:¥600.06
100+:¥540.05
250+:¥520.05
500+:¥512.05
1000+:¥488.04
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160+:¥543.74
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