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STAC3933 /射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 350W 29dB 30MHz STAC N-Ch RF FET
STAC3933的规格信息
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图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

RoHS:是

晶体管极性:N-Channel

技术:Si

Id-连续漏极电流:20 A

Vds-漏源极击穿电压:250 V

增益:29 dB

输出功率:350 W

最小工作温度:- 65 C

最大工作温度:+ 150 C

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:STAC177B

封装:Tube

配置:Dual Common Source

工作频率:30 MHz

系列:STAC3933

类型:RF Power MOSFET

商标:STMicroelectronics

正向跨导 - 最小值:8 S

Pd-功率耗散:795 W

产品类型:RF MOSFET Transistors

工厂包装数量:50

子类别:MOSFETs

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Vgs th-栅源极阈值电压:2.5 V

单位重量:400 mg

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