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STAC1011-350 /射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 350W 36V 1030-1090 MHz LDMOS TRANSISTOR
STAC1011-350的规格信息
STAC1011-350的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

RoHS:是

晶体管极性:N-Channel

技术:Si

Id-连续漏极电流:2 uA

Vds-漏源极击穿电压:80 V

增益:15 dB

输出功率:350 W

最大工作温度:+ 200 C

安装风格:Screw Mount

封装 / 箱体:STAC265B-3

封装:Tube

工作频率:1.03 GHz to 1.09 GHz

系列:STAC1011-350

类型:RF Power MOSFET

商标:STMicroelectronics

通道数量:1 Channel

Pd-功率耗散:1.44 kW

产品类型:RF MOSFET Transistors

工厂包装数量:90

子类别:MOSFETs

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

单位重量:2.100 g

供应商STAC1011-350
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Digi-Key 得捷电子		STAC1011-350FSTMicroelectronicsPTD WBG & POWER RF$201.25000
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Mouser 贸泽电子		STAC1011-350STMicroelectronics射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 350W 36V 1030-1090 MHz LDMOS TRANSISTOR1:¥1,281.2279
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