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SSM3J16CT(TPL3) /Toshiba Semiconductor and Storage/分立半导体产品
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图像仅供参考,请参阅规格书

数据列表:SSM3J16CT -

标准包装:10,000

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 单

系列:-

包装:带卷(TR)

FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物

FET 功能:逻辑电平门

漏源极电压(Vdss):20V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):100mA(Ta)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):8 欧姆 @ 10mA,4V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.1V @ 100µA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):-

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):11pF @ 3V

功率 - 最大值:100mW

安装类型:表面贴装

封装/外壳:SC-101,SOT-883

供应商器件封装:CST3

其它名称:SSM3J16CT(TPL3)TRSSM3J16CTTPL3

供应商SSM3J16CT(TPL3)
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