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SSM3J332R,LF /MOSFET SM Sig P-CH MOS 12V VGSS -6A -30VDSS
SSM3J332R,LF的规格信息
SSM3J332R,LF的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Toshiba

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-23F-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:6 A

Rds On-漏源导通电阻:144 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:500 mV

Vgs - 栅极-源极电压:1.8 V

Qg-栅极电荷:8.2 nC

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:1 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:0.9 mm

长度:2.9 mm

系列:SSM3J332

晶体管类型:1 P-Channel

宽度:1.3 mm

商标:Toshiba

正向跨导 - 最小值:5.7 S

产品类型:MOSFET

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:75 ns

典型接通延迟时间:15 ns

单位重量:8 mg

供应商SSM3J332R,LF
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深圳市星宇佳科技有限公司SSM3J332R,LF(B深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1004号南光大厦5100755-82717977-603
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SSM3J332R,LF连续漏极电流(Id)(25°C 时):6A 漏源电压(Vdss):-30V 栅源极阈值电压:1.2V @ 1mA 漏源导通电阻:42mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1W 类型:P沟道TOSHIBA(东芝)TOSHIBA(东芝)的LOGO412.24 Kbytes共6页SSM3J332R,LF的PDF下载地址
SSM3J332R,LF(TTrans MOSFET P-CH Si 30V 6A 3-Pin SOT-23F T/RTOSHIBATOSHIBA的LOGO345.17 Kbytes共6页SSM3J332R,LF(T的PDF下载地址
SSM3J332R,LF的全球分销商及价格
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Digi-Key 得捷电子
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SSM3J332R,LFToshibaMOSFET SM Sig P-CH MOS 12V VGSS -6A -30VDSS1:¥4.0002
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100:¥0.95259
1,000:¥0.72998
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SSM3J332R,LFTOSHIBA(东芝)连续漏极电流(Id)(25°C 时):6A 漏源电压(Vdss):-30V 栅源极阈值电压:1.2V @ 1mA 漏源导通电阻:42mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1W 类型:P沟道10+:¥0.384024
100+:¥0.291123
300+:¥0.27406
1000+:¥0.256996
5000+:¥0.249413
10000+:¥0.245665