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SSM3J120TU(TE85L) / Trans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin UFM T/R
SSM3J120TU(TE85L)的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C:4A

Drain to Source Voltage (Vdss):20V

FET Feature:Logic Level Gate

FET Type:MOSFET P-Channel, Metal Oxide

Gate Charge (Qg) @ Vgs:22.3nC @ 4V

Input Capacitance (Ciss) @ Vds:1484pF @ 10V

Mounting Type:Surface Mount

Package / Case:UFM

Power - Max:500mW

Rds On (Max) @ Id, Vgs:38 mOhm @ 3A, 4V

Supplier Device Package:UFM (2.0x2.1)

Vgs(th) (Max) @ Id:1V @ 1mA

包装:3UFM

渠道类型:P

通道模式:Enhancement

最大漏源电压:20 V

最大连续漏极电流:4 A

RDS -于:38@4V mOhm

最大门源电压:±8 V

工作温度:-55 to 150 °C

安装:Surface Mount

标准包装:Tape & Reel

工厂包装数量:3000

产品种类:MOSFET

晶体管极性:P-Channel

连续漏极电流:- 4 A

正向跨导 - 闵:12.1 S / 6.1 S

安装风格:SMD/SMT

RDS(ON):60 mOhms

封装:Reel

功率耗散:800 mW

封装/外壳:UFM

配置:Single

漏源击穿电压:- 20 V

RoHS:RoHS Compliant

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