Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C：4A

Drain to Source Voltage (Vdss)：20V

FET Feature：Logic Level Gate

FET Type：MOSFET P-Channel, Metal Oxide

Gate Charge (Qg) @ Vgs：22.3nC @ 4V

Input Capacitance (Ciss) @ Vds：1484pF @ 10V

Mounting Type：Surface Mount

Package / Case：UFM

Power - Max：500mW

Rds On (Max) @ Id, Vgs：38 mOhm @ 3A, 4V

Supplier Device Package：UFM (2.0x2.1)

Vgs(th) (Max) @ Id：1V @ 1mA

包装：3UFM

渠道类型：P

通道模式：Enhancement

最大漏源电压：20 V

最大连续漏极电流：4 A

RDS -于：38@4V mOhm

最大门源电压：±8 V

工作温度：-55 to 150 °C

安装：Surface Mount

标准包装：Tape & Reel

工厂包装数量：3000

产品种类：MOSFET

晶体管极性：P-Channel

连续漏极电流：- 4 A

正向跨导 - 闵：12.1 S / 6.1 S

安装风格：SMD/SMT

RDS（ON）：60 mOhms

封装：Reel

功率耗散：800 mW

封装/外壳：UFM

配置：Single

漏源击穿电压：- 20 V

RoHS：RoHS Compliant