制造商:Toshiba

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:UFM-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:1.1 A

Rds On-漏源导通电阻:610 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:800 mW

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Reel

高度:0.7 mm

长度:2 mm

产品:MOSFET Small Signal

系列:SSM3J112TU

晶体管类型:1 P-Channel

类型:Small Signal

宽度:1.7 mm

商标:Toshiba

正向跨导 - 最小值:1 S / 0.5 S

产品类型:MOSFET

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

单位重量:124.600 mg