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SQJA84EP-T1_GE3 /MOSFET 80V Vds 46A Id AEC-Q101 Qualified
SQJA84EP-T1_GE3的规格信息
SQJA84EP-T1_GE3的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PowerPAK-SO-8L-4

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:80 V

Id-连续漏极电流:46 A

Rds On-漏源导通电阻:10.2 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1.5 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:35 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:55 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

资格:AEC-Q101

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:SQ

晶体管类型:1 N-Channel

商标:Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:50 S

下降时间:7 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:5 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:23 ns

典型接通延迟时间:11 ns

单位重量:506.600 mg

供应商SQJA84EP-T1_GE3
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深圳市斌腾达科技有限公司SQJA84EP-T1_GE3深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
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深圳市星宇佳科技有限公司SQJA84EP-T1_GE3深圳市福田区华强北南光大厦5100755-82522195
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深圳市瑞浩芯科技有限公司SQJA84EP-T1_GE3深圳市福田区上步工业区501栋11030755-84875764
”13725596657“17503034873		曾先生Email:1153689911@qq.com询价
深圳市惊羽科技有限公司SQJA84EP-T1-GE3深圳市福田区深南中路3037号南光捷佳大厦2031室实-单-专-线----135-7521-2775
135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回		彭小姐Email:1138536269@qq.com询价
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SQJA84EP-T1_GE3MOSFET 80V Vds 46A Id AEC-Q101 QualifiedVishay / SiliconixVishay / Siliconix的LOGO226.84 Kbytes共7页SQJA84EP-T1_GE3的PDF下载地址无
SQJA84EP-T1_GE3MOSFET N-CH 80V 46A POWERPAKSO-8Vishay SiliconixVishay Siliconix的LOGO289.52 Kbytes共10页SQJA84EP-T1_GE3的PDF下载地址无
SQJA84EP-T1_GE3连续漏极电流（Id）（25°C 时）：46A 漏源电压（Vdss）：80V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：12.5mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：55W 类型：N沟道VISHAY(威世)VISHAY(威世)的LOGO227.19 Kbytes共7页SQJA84EP-T1_GE3的PDF下载地址无
SQJA84EP-T1_GE3的全球分销商及价格
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Mouser 贸泽电子		SQJA84EP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFET 80V Vds 46A Id AEC-Q101 Qualified1:¥8.6106
10:¥7.0851
100:¥5.4353
500:¥4.6782
1,000:¥3.6838
3,000:¥3.6838
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立创商城		SQJA84EP-T1_GE3VISHAY(威世)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：46A 漏源电压（Vdss）：80V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：12.5mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：55W 类型：N沟道1+:￥7.25
10+:￥5.35
30+:￥5
100+:￥4.65
500+:￥4.49
1000+:￥4.42
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