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SQJA60EP-T1_GE3 /MOSFET 60V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified
SQJA60EP-T1_GE3的规格信息
SQJA60EP-T1_GE3的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PowerPAK-SO-8L-4

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:60 V

Id-连续漏极电流:30 A

Rds On-漏源导通电阻:12.5 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:18 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:45 W

配置:Single

资格:AEC-Q101

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:SQ

商标:Vishay / Siliconix

下降时间:5 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:5 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:21 ns

典型接通延迟时间:9 ns

单位重量:506.600 mg

供应商SQJA60EP-T1_GE3
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