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SQJ992EP-T1_GE3 /MOSFET Dual N-Channel 60V AEC-Q101 Qualified
SQJ992EP-T1_GE3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PowerPAK-SO-8L-4

通道数量:2 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:60 V

Id-连续漏极电流:15 A

Rds On-漏源导通电阻:47 mOhms, 47 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1.5 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:12 nC, 12 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:34 W

配置:Dual

通道模式:Enhancement

资格:AEC-Q101

商标名:TrenchFET

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.04 mm

长度:6.15 mm

系列:SQ

晶体管类型:2 N-Channel

宽度:5.13 mm

商标:Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:11 S, 11 S

下降时间:7 ns, 7 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:6 ns, 6 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:12 ns, 12 ns

典型接通延迟时间:6 ns, 6 ns

单位重量:506.600 mg

供应商SQJ992EP-T1_GE3
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