系列：SQ

最大工作温度：+ 175 C

最小工作温度：- 55 C

技术：Si

安装风格：SMD/SMT

典型接通延迟时间：10 ns, 10 ns

上升时间：5 ns, 5 ns

Vgs-栅极-源极电压：20 V, 20 V

Pd-功率耗散：48 W

通道数量：2 Channel

Id-连续漏极电流：30 A, 30 A

Vds-漏源极击穿电压：100 V, 100 V

晶体管类型：2 N-Channel

RdsOn-漏源导通电阻：21 mOhms, 21 mOhms

通道模式：Enhancement

晶体管极性：N-Channel

Qg-栅极电荷：30 nC, 30 nC

Vgsth-栅源极阈值电压：1.5 V, 1.5 V

典型关闭延迟时间：20 ns, 20 ns

正向跨导-最小值：27 S, 27 S

FET类型：2 个 N 沟道（双）

FET功能：标准

漏源电压（Vdss）：100V

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：30A（Tc）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：25.5 毫欧 @ 10A，10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：2.5V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：30nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：1050pF @ 25V

功率-最大值：48W

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：PowerPAK®SO-8Dual

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs