封装/外壳：PG-TO262-3

安装风格：ThroughHole

通道数量：1Channel

晶体管极性：N-Channel

Vds-漏源极击穿电压：500V

Id-连续漏极电流：21A

Rds On-漏源导通电阻：190mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压：2.1V

Vgs - 栅极-源极电压：20V

Qg-栅极电荷：95nC

最小工作温度：-55C

最大工作温度：+150C

配置：Single

Pd-功率耗散：208W

通道模式：Enhancement

高度：9.45mm

长度：10.2mm

系列：CoolMOSC3

晶体管类型：1N-Channel

宽度：4.5mm

下降时间：4.5ns

上升时间：5ns

典型关闭延迟时间：67ns

典型接通延迟时间：10ns

Packing Type：TUBE

RDS (on) max：190.0mΩ

IDpuls max：63.0A

VDS max：500.0V

ID max：21.0A

Package：I2PAK (TO-262)

Rth：0.6K/W

QG：95.0nC

Budgetary Price €€/1k：1.35

Ptot max：208.0W

Polarity：N

VGS(th) min max：2.1V 3.9V

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs