RoHS：符合 RoHS

标准包装数量：500

公司名称：CoolMOS

晶体管极性：N-Channel

Vds - 漏-源击穿电压：650 V

Id - C连续漏极电流：11 A

Rds On - 漏-源电阻：0.38 0hms

封装/外壳：PG-TO262-3

系列：SPI11N60

品牌：InFineon Technologies

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：650V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：11A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：3.9V @ 500µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：60nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：1200pF @ 25V

功率耗散（最大值）：125W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：380 毫欧 @ 7A，10V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：通孔

供应商器件封装：PG-TO262-3-1

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs