数据列表：SP(P,A,I)11N65C3

产品培训模块：CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters

标准包装：500

类别：分立半导体产品

家庭：FET - 单

系列：CoolMOS??

包装：管件

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压（Vdss）：650V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：11A（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：380 毫欧 @ 7A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：3.9V @ 500µA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：60nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：1200pF @ 25V

功率 - 最大值：125W

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA

供应商器件封装：PG-TO262-3

其它名称：SP000014526SPI11N65C3-NDSPI11N65C3HKSA1SPI11N65C3INSPI11N65C3XSPI11N65C3XK