安装风格：ThroughHole

封装/外壳：TO-262-3

通道数量：1Channel

晶体管极性：N-Channel

Vds-漏源极击穿电压：600V

Id-连续漏极电流：20.7A

Rds On-漏源导通电阻：220mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压：3V

Vgs - 栅极-源极电压：20V

Qg-栅极电荷：95nC

最小工作温度：-55C

最大工作温度：+150C

配置：Single

Pd-功率耗散：208W

通道模式：Enhancement

高度：9.45mm

长度：10.2mm

系列：CoolMOSCFD

晶体管类型：1N-Channel

宽度：4.5mm

下降时间：6.4ns

上升时间：15ns

典型关闭延迟时间：59ns

典型接通延迟时间：12ns

RDS (on) max：220.0mΩ

IDpuls max：52.0A

VDS max：600.0V

ID max：20.7A

Package：I2PAK (TO-262)

Rth：0.6K/W

QG：95.0nC

Ptot max：208.0W

Polarity：N

VGS(th) min max：3.0V 5.0V

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs