FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：560V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：7.6A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：3.9V @ 350µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：32nC

电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs：10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：750pF

电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds：25V

功率耗散（最大值）：83W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：600 毫欧 @ 4.6A，10V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：通孔

供应商器件封装：PG-TO262-3-1

封装/外壳：PG-TO262-3

通道类型：N

最大连续漏极电流：7.6 A

最大漏源电压：560 V

最大漏源电阻值：600 m0hms

最大栅阈值电压：3.9V

最小栅阈值电压：2.1V

最大栅源电压：-30 V、+30 V

封装类型：I2PAK (TO-262)

引脚数目：3

晶体管配置：单

通道模式：增强

类别：功率 MOSFET

最大功率耗散：83 W

长度：10mm

尺寸：10 x 4.4 x 9.25mm

宽度：4.4mm

晶体管材料：Si

典型栅极电荷@Vgs：32 nC @ 10 V

高度：9.25mm

系列：CoolMOS C3

典型输入电容值@Vds：750 pF @ 25 V

典型关断延迟时间：60 ns

典型接通延迟时间：6 ns

每片芯片元件数目：1

最低工作温度：-55 °C

最高工作温度：+150 °C

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs