晶体管类型：NPN，PNP
电流-集电极（Ic）（最大值）：200mA
不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）：300mV @ 5mA，50mA / 400mV @ 5mA，50mA
不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）：100 @ 10mA，1V
功率-最大值：150mW
频率-跃迁：300MHz，250MHz
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳：SC-88/SC70-6/SOT-363
封装形式Package：SC-88
极性Polarity：NPN+PNP
集电极最大允许电流Ic：0.2A
集电极_发射极击穿电压VCEO：40V
功率 - 最大值：150mW
频率 - 跃迁：300MHz，250MHz
封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
电流 - 集电极（Ic）（最大值）：200mA
电压 - 集射极击穿（最大值）：40V
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）：300mV @ 5mA，50mA / 400mV @ 5mA，50mA
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）：100 @ 10mA，1V
无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs