晶体管类型：NPN，PNP

电流 - 集电极（Ic）（最大值）：200mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：40V

不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）：400mV @ 5mA，50mA

电流 - 集电极截止（最大值）：50nA（ICBO）

不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）：100 @ 10mA，1V

功率 - 最大值：250mW

频率 - 跃迁：250MHz

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SOT363

供应商器件封装：PG-SOT363-6

晶体管类型：NPN + PNP

最大直流集电极电流：200 mA

最大集电极-发射极电压：40 V

封装类型：SOT-363 (SC-88)

最大功率耗散：250 mW

最小直流电流增益：30

晶体管配置：隔离式

最大发射极-基极电压：6 V

最大工作频率：250（最小）MHz

引脚数目：6

每片芯片元件数目：2

最大基极-发射极饱和电压：0.95 V

最高工作温度：+150 °C

高度：0.8mm

尺寸：2 x 1.25 x 0.8mm

最大集电极-发射极饱和电压：0.4 V

宽度：1.25mm

长度：2mm

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs