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SMBT3906DW1T1G /双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS GP XSTR PNP 40V
SMBT3906DW1T1G的规格信息
SMBT3906DW1T1G的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

RoHS:是

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-363-6

晶体管极性:PNP

配置:Dual

集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V

集电极—基极电压 VCBO:- 40 V

发射极 - 基极电压 VEBO:- 5 V

集电极—射极饱和电压:- 0.25 V

增益带宽产品fT:250 MHz

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

系列:SMBT3906DW1T1G

直流电流增益 hFE 最大值:300

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

商标:ON Semiconductor

集电极连续电流:- 200 mA

Pd-功率耗散:150 mW

产品类型:BJTs - Bipolar Transistors

资格:AEC-Q101

工厂包装数量:3000

子类别:Transistors

单位重量:6 mg

供应商SMBT3906DW1T1G
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