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SIGC12T60SNCX1SA3 /IGBT 3 CHIP 600V WAFER
SIGC12T60SNCX1SA3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

Series-

PackageBulk

IGBT TypeNPT

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)600 V

Current - Collector (Ic) (Max)10 A

Current - Collector Pulsed (Icm)30 A

Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2.5V @ 15V, 10A

Power - Max-

Switching Energy-

Input TypeStandard

Gate Charge-

Td (on/off) @ 25°C29ns/266ns

Test Condition400V, 10A, 25Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)-

Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)

Mounting TypeSurface Mount

Package / CaseDie

Supplier Device PackageDie

供应商SIGC12T60SNCX1SA3
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深圳市芯幂科技有限公司SIGC12T60SNCX1SA3深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦2405+86-13267088774(微信同号)李昊skype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:lihao@xinmisc.com询价
深圳市惊羽科技有限公司SIGC12T60SNCX1SA3深圳市福田区深南中路3037号南光捷佳大厦2031室实-单-专-线----135-7521-2775
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盛信伟业(深圳)科技有限公司SIGC12T60SNCX1SA3深圳市福田区华强北街道福强社区华强北路1002号赛格广场3310A19926488141
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鸿科电子贸易有限公司SIGC12T60SNCX1SA3深圳市福田区电子科技大厦C座15B20755-83228925
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朋盈(上海)科技有限公司SIGC12T60SNCX1SA3上海市浦东新区新场镇笋南路187号1578室18317142458
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