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SIGC05T60SNCX7SA1 /IGBT 3 CHIP 600V WAFER
SIGC05T60SNCX7SA1的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

Series-

PackageBulk

IGBT TypeNPT

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)600 V

Current - Collector (Ic) (Max)4 A

Current - Collector Pulsed (Icm)12 A

Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2.5V @ 15V, 4A

Power - Max-

Switching Energy-

Input TypeStandard

Gate Charge-

Td (on/off) @ 25°C22ns/264ns

Test Condition400V, 4A, 67Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)-

Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)

Mounting TypeSurface Mount

Package / CaseDie

Supplier Device PackageDie

供应商SIGC05T60SNCX7SA1
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深圳市星宇佳科技有限公司深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1004号南光大厦5100755-82717977-603
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