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SIGC11T60SNCX1SA1 /IGBT 3 CHIP 600V WAFER
SIGC11T60SNCX1SA1的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

Series-

PackageBulk

IGBT TypeNPT

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)600 V

Current - Collector (Ic) (Max)10 A

Current - Collector Pulsed (Icm)30 A

Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2.4V @ 15V, 10A

Power - Max-

Switching Energy-

Input TypeStandard

Gate Charge-

Td (on/off) @ 25°C28ns/198ns

Test Condition400V, 10A, 25Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)-

Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)

Mounting TypeSurface Mount

Package / CaseDie

Supplier Device PackageDie

供应商SIGC11T60SNCX1SA1
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