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SIGC07T60SNCX1SA3 /IGBT 3 CHIP 600V WAFER
SIGC07T60SNCX1SA3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

Series-

PackageBulk

IGBT TypeNPT

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)600 V

Current - Collector (Ic) (Max)6 A

Current - Collector Pulsed (Icm)18 A

Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2.5V @ 15V, 6A

Power - Max-

Switching Energy-

Input TypeStandard

Gate Charge-

Td (on/off) @ 25°C24ns/248ns

Test Condition400V, 6A, 50Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)-

Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)

Mounting TypeSurface Mount

Package / CaseDie

Supplier Device PackageDie

供应商SIGC07T60SNCX1SA3
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深圳市嘉莉电子有限公司SIGC07T60SNCX1SA3深圳市福田区华强北深纺大厦4楼E1337702078
13537702078
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