晶体管极性N and P-Channel

汲极/源极击穿电压20 V, 12 V

闸/源击穿电压+/- 8 V

漏极连续电流+/- 6 A, +/- 5 A

电阻汲极/源极 RDS（导通）0.03 Ohms

配置Dual Dual Drain

最大工作温度+ 150 C

安装风格SMD/SMT

封装 / 箱体SOIC-8 Narrow

下降时间30 ns, 60 ns

最小工作温度- 55 C

功率耗散2 W

上升时间70 ns, 40 ns

工厂包装数量100

典型关闭延迟时间70 ns, 100 ns