系列：TrenchFET®

FET类型：P 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：11.7A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：1.2V，4.5V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：800mV @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：26nC @ 5V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：1640pF @ 4V

Vgs（最大值）：±5V

功率耗散（最大值）：2.77W（Ta），6.25W（Tc）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：35 毫欧 @ 1A，4.5V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：4-XFBGA，CSPBGA

封装形式Package：MicroFoot-4

极性Polarity：P-CH

漏源极击穿电压VDSS：8V

连续漏极电流ID：7.8A

漏源极导通电阻RDS(ON)：43mOhms

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs