系列:TrenchFET®
FET类型:N 沟道
技术:MOSFET(金属氧化物)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):1.2V,4.5V
不同Id时的Vgs(th)(最大值):800mV @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值):40nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):2340pF @ 4V
Vgs(最大值):±5V
功率耗散(最大值):1.1W(Ta),2.7W(Tc)
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):20 毫欧 @ 2A,4.5V
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装
封装/外壳:4-uFBGA,WLCSP
封装形式Package:MicroFoot-4
极性Polarity:N-CH
漏源极击穿电压VDSS:8V
连续漏极电流ID:10A
漏源极导通电阻RDS(ON):20mOhms
栅源极阀值电压VGS(th):800mV
无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs