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SI8424CDB-T1-E1 /Single N-Channel 8 V 20 mOhm 25 nC Surface Mount Power Mosfet - MICRO FOOT
SI8424CDB-T1-E1的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

系列:TrenchFET®

FET类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):1.2V,4.5V

不同Id时的Vgs(th)(最大值):800mV @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值):40nC @ 4.5V

不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):2340pF @ 4V

Vgs(最大值):±5V

功率耗散(最大值):1.1W(Ta),2.7W(Tc)

不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):20 毫欧 @ 2A,4.5V

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

封装/外壳:4-uFBGA,WLCSP

封装形式Package:MicroFoot-4

极性Polarity:N-CH

漏源极击穿电压VDSS:8V

连续漏极电流ID:10A

漏源极导通电阻RDS(ON):20mOhms

栅源极阀值电压VGS(th):800mV

无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs

供应商SI8424CDB-T1-E1
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深圳市天卓伟业电子有限公司SI8424CDB-T1-E1深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
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集好芯城SI8424CDB-T1-E1深圳市福田区航都大厦25F4008626627
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木易Email:2881915365@qq.com询价
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上海三崧电子有限公司SI8424CDB-T1-E1上海市嘉定区曹安路4671号协通科技大厦7层13818988389
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万三科技(深圳)有限公司SI8424CDB-T1-E1深圳市龙华区民治街道新牛社区金地梅陇镇9栋4单元14C0755-21006672
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深圳市斌腾达科技有限公司SI8424CDB-T1-E1深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
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深圳市瑞浩芯科技有限公司SI8424CDB-T1-E1深圳市福田区上步工业区501栋11030755-84875764
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深圳市惊羽科技有限公司SI8424CDB-T1-E1深圳市福田区深南中路3037号南光捷佳大厦2031室实-单-专-线----135-7521-2775
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SI8424CDB-T1-E1SI8424CDB-T1-E1 N-channel MOSFET Transistor; 10 A; 8 V; 4-Pin MICRO FOOTSiliconix / VishaySiliconix / Vishay的LOGO245.64 Kbytes共11页SI8424CDB-T1-E1的PDF下载地址
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SI8424CDB-T1-E1Vishay SiliconixMOSFET N-CH 8V 4MICROFOOT$0.65000
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Mouser 贸泽电子
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