特色产品：MOSFETs Designed for On-Resistance Ratings at 1.2 V

标准包装：3,000

类别：分立半导体产品

家庭：FET - 单

系列：TrenchFET®

包装：带卷（TR）

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平栅极，1.2V 驱动

漏源极电压（Vdss）：8V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：12.2A（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：31 毫欧 @ 1A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：33nC @ 5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：1950pF @ 4V

功率 - 最大值：6.25W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：4-XFBGA，CSPBGA

供应商器件封装：4-Microfoot

其它名称：SI8424DB-T1-E1TRSI8424DBT1E1