系列：TrenchFET®

FET类型：P 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：1.8V，4.5V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：900mV @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：110nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：2800pF @ 10V

Vgs（最大值）：±10V

功率耗散（最大值）：1.1W（Ta），2.7W（Tc）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：23 毫欧 @ 2A，4.5V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：4-uFBGA，WLCSP

封装形式Package：MicroFoot-4

极性Polarity：P-CH

漏源极击穿电压VDSS：20V

连续漏极电流ID：9.3A

漏源极导通电阻RDS(ON)：23mOhms

栅源极阀值电压VGS(th)：900mV

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs