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SI7792DP-T1-GE3 /
SI7792DP-T1-GE3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

产品种类MOSFET

晶体管极性N-Channel

汲极/源极击穿电压30 V

闸/源击穿电压20 V

漏极连续电流60 A

电阻汲极/源极 RDS(导通)0.0017 Ohms

配置Single

安装风格SMD/SMT

封装 / 箱体PowerPAK SO-8

封装Reel

下降时间12 ns

正向跨导 gFS(最大值/最小值)83 S

栅极电荷 Qg90 nC

功率耗散104 Watts

上升时间13 ns

典型关闭延迟时间40 ns

零件号别名SI7792DP-GE3

供应商SI7792DP-T1-GE3
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SI7792DP-T1-GE3N-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode VISHAY[Vishay Siliconix]VISHAY[Vishay Siliconix]的LOGO510.12 Kbytes共13页SI7792DP-T1-GE3的PDF下载地址
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