SI7386DP-T1-E3的供应商，SI7386DP-T1-E3规格参数，SI7386DP-T1-E3的PDF资料

SI7386DP-T1-E3 /MOSFET 30 Volt 19 Amp 5W

SI7386DP-T1-E3的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PowerPAK-SO-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:12 A

Rds On-漏源导通电阻:7 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1.5 V

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:11.5 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:1.8 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:TrenchFET

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:SI7

晶体管类型:1 N-Channel

商标:Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:50 S

下降时间:10 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:9 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:35 ns

典型接通延迟时间:12 ns

零件号别名:SI7386DP-E3

单位重量:506.600 mg

SI7386DP-T1-E3

SI7386DP-T1-E3的供应商,可免费索样

供应商	型号	地址	联系电话	联系人	询价
深圳市宇浩扬科技有限公司	SI7386DP-T1-E3	深圳市福田区华强北上步工业区201栋316	0755-83223003 13826514222	余先生，张先生	询价
深圳市芯幂科技有限公司	SI7386DP-T1-E3	深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦2405	13267088774 (微信同号)	Alien	询价
芯莱德电子（香港）有限公司	SI7386DP-T1-E3	深圳市福田区航都大厦10L	13352985419 13352985419，19076157484	杨先生	询价
深圳市高捷芯城科技有限公司	SI7386DP-T1-E3	深圳市福田区航都大厦10B	13352985419 13352985419	木易	询价
深圳市天卓伟业电子有限公司	SI7386DP-T1-E3	深圳市福田区华强北路1019号A座13楼	0755-82573552 17302670049	陈敏	询价
深圳市坤融电子有限公司	SI7386DP-T1-E3	航都大厦10I	0755-23990975 13926529829，17318082080	肖瑶，树平	询价
集好芯城	SI7386DP-T1-E3	深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼	0755-82564006 18188616613	郑小姐	询价
深圳市辉华拓展电子有限公司	SI7386DP-T1-E3	深圳市福田区汉国中心55楼	0755-82790891 18126117392	陈晓玲	询价
集好芯城	SI7386DP-T1-E3	深圳市福田区航都大厦25F	4008626627 13360071553	陈泽辉	询价
深圳市芯泽盛世科技有限公司	SI7386DP-T1-E3	龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822	0755-89697985 18822854608	李先生	询价
深圳诚思涵科技有限公司	SI7386DP-T1-E3	深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室	0755-23947236/83015506 15302723671/15820783671	曾小姐	询价
深圳市浩睿泽电子科技有限公司	SI7386DP-T1-E3	深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F19	19854773352 19854773352	罗先生	询价
深圳市赛美科科技有限公司	SI7386DP-T1-E3	广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A595	0755-28309323 13480875861	雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话	询价
深圳市辰芯伟业科技有限公司	SI7386DP-T1-E3	华强北路新华强广场B座27D	0755-83238360 13603072128	陈	询价
深圳市斌腾达科技有限公司	SI7386DP-T1-E3	深圳市福田区华强北上步工业区501栋518	0755-82815082 13049883113	赵小姐	询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司	SI7386DP-T1-E3	深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室	0755-83616256 / 83210909 13725570869	朱小姐	询价
深圳市科思奇电子科技有限公司	SI7386DP-T1-E3	上步工业区501栋1109-1110	0755-83245050 18923762408 “13538131418”	张小姐	询价
深圳市星宇佳科技有限公司	SI7386DP-T1-E3	深圳市福田区华强北南光大厦510	0755-82522195 13332931905	小柯	询价
深圳市瑞浩芯科技有限公司	SI7386DP-T1-E3	深圳市福田区上步工业区501栋1103	0755-84875764 ”13725596657“17503034873	曾先生	询价
深圳市星宇佳科技有限公司	SI7386DP-T1-E3	深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1004号南光大厦510	0755-82717977-603 13332931905	谢先生	询价

SI7386DP-T1-E3及相关型号的PDF资料

型号	功能描述	生产厂商	PDF大小	PDF页数	相关型号
SI7386DP-T1-E3	MOSFET 30 Volt 19 Amp 5W	Vishay / Siliconix	293.66 Kbytes	共12页	无
SI7386DP-T1-E3	MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8	Vishay Siliconix	290.68 Kbytes	共12页	无
SI7386DP-T1-E3	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：7mΩ @ 19A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.8W 类型：N沟道	VISHAY(威世)	292.37 Kbytes	共12页	无

SI7386DP-T1-E3的全球分销商及价格

销售商	型号	制造商	功能描述	价格
Am2	SI7386DP-T1-E3	Vishay	FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品半导体 MOSFET 30 Volt 19 Amp 5W	3000+:￥3.55 6000+:￥3.36 15000+:￥3.24 30000+:￥3.14 75000+:￥3.02991+:￥9.44 10+:￥7.5399 100+:￥5.8 500+:￥5.14 1000+:￥5.0299 3000+:￥4.8 6000+:￥4.62 9000+:￥4.5001 24000+:￥4.41+:￥5.99
Digi-Key 得捷电子	SI7386DP-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8	$1.47000
Digi-Key 得捷电子	SI7386DP-T1-E3	Vishay	FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品半导体 MOSFET 30 Volt 19 Amp 5W	3000+:￥3.55 6000+:￥3.36 15000+:￥3.24 30000+:￥3.14 75000+:￥3.0299
Mouser 贸泽电子	SI7386DP-T1-E3	Vishay / Siliconix	MOSFET 30 Volt 19 Amp 5W	1:¥12.3735 10:¥10.2943 100:¥7.91 500:¥6.9834 3,000:¥6.9834
Mouser 贸泽电子	SI7386DP-T1-E3	Vishay	FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品半导体 MOSFET 30 Volt 19 Amp 5W	3000+:￥3.55 6000+:￥3.36 15000+:￥3.24 30000+:￥3.14 75000+:￥3.02991+:￥9.44 10+:￥7.5399 100+:￥5.8 500+:￥5.14 1000+:￥5.0299 3000+:￥4.8 6000+:￥4.62 9000+:￥4.5001 24000+:￥4.4
立创商城	SI7386DP-T1-E3	VISHAY(威世)	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：7mΩ @ 19A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.8W 类型：N沟道	1+:￥16.05 10+:￥11.83 30+:￥11.05 100+:￥10.27 500+:￥9.93 1000+:￥9.76

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