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SI7382DP-T1-E3 /Vishay Siliconix/分立半导体产品
SI7382DP-T1-E3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:3,000

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 单

系列:TrenchFET®

包装:带卷(TR)

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 功能:逻辑电平门

漏源极电压(Vdss):30V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):14A(Ta)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):4.7 毫欧 @ 24A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):40nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):-

功率 - 最大值:1.8W

安装类型:表面贴装

封装/外壳:PowerPAK® SO-8

供应商器件封装:PowerPAK® SO-8

其它名称:SI7382DP-T1-E3TR

供应商SI7382DP-T1-E3
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深圳市坤融电子有限公司SI7382DP-T1-E3航都大厦10I0755-23990975
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