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SI7374DP-T1-E3 /Vishay Siliconix/分立半导体产品
SI7374DP-T1-E3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:3,000

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 单

系列:TrenchFET®

包装:带卷(TR)

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 功能:标准

漏源极电压(Vdss):30V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):24A(Tc)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):5.5 毫欧 @ 23.8A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.8V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):122nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):5500pF @ 15V

功率 - 最大值:56W

安装类型:表面贴装

封装/外壳:PowerPAK® SO-8

供应商器件封装:PowerPAK® SO-8

其它名称:SI7374DP-T1-E3TR

供应商SI7374DP-T1-E3
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SI7374DP-T1-E3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品3000+:¥11.03013000+:¥11.25
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