销售商 | 型号 | 制造商 | 功能描述 | 价格 |
 Arrow(艾睿) | SI7315DN-T1-GE3 | Vishay | FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET -150V .315ohm@-10V -8.9A P-Ch T-FET | 6000+:¥3.531+:¥7.36 10+:¥5.91 100+:¥4.55 500+:¥4.02 1000+:¥3.93 3000+:¥3.75 6000+:¥3.6 9000+:¥3.5199 24000+:¥3.41+:¥4.07 |
 Digi-Key 得捷电子 | SI7315DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 150V 8.9A PPAK1212-8 | $1.32000 |
 Digi-Key 得捷电子 | SI7315DN-T1-GE3 | Vishay | FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET -150V .315ohm@-10V -8.9A P-Ch T-FET | 6000+:¥3.53 |
 Mouser 贸泽电子 | SI7315DN-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET -150V Vds 30V Vgs PowerPAK 1212-8 | 1:¥9.831 10:¥8.0682 100:¥6.1924 500:¥5.3223 1,000:¥4.2036 3,000:¥4.2036
|
 Mouser 贸泽电子 | SI7315DN-T1-GE3 | Vishay | FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET -150V .315ohm@-10V -8.9A P-Ch T-FET | 6000+:¥3.531+:¥7.36 10+:¥5.91 100+:¥4.55 500+:¥4.02 1000+:¥3.93 3000+:¥3.75 6000+:¥3.6 9000+:¥3.5199 24000+:¥3.4 |
 立创商城 | SI7315DN-T1-GE3 | VISHAY(威世) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):8.9A(Tc) 漏源电压(Vdss):150V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:315mΩ @ 4A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.8W 类型:P沟道 | 1+:¥9 10+:¥8.76 30+:¥8.6 100+:¥8.44
|