FET 类型：P 沟道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：4.1A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：12nC @ 10V
Vgs（最大值）：±12V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：660pF @ 10V
FET 功能：肖特基二极管（隔离式）
功率耗散（最大值）：1.7W（Ta），2.8W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：108 毫欧 @ 3.3A，4.5V
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
供应商器件封装：8-SO
封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs