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SI4447ADY /连续漏极电流（Id）（25°C 时）：16.1A(Tc) 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：10mΩ @ 10.2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：6.3W(Tc) 类型：P沟道
SI4447ADY的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压（Vdss）40V

连续漏极电流（Id）（25°C 时）16.1A(Tc)

栅源极阈值电压2.5V @ 250uA

漏源导通电阻10mΩ @ 10.2A,10V

最大功率耗散（Ta=25°C）6.3W(Tc)

类型P沟道

供应商SI4447ADY
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现代芯城（深圳）科技有限公司Si4447ADYwww.nowchip.com0755-27381274
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深圳市芯幂科技有限公司SI4447ADY-T1-GE3深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
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深圳市水星电子有限公司SI4447ADY-T1-GE3地址1：深圳市龙岗区平湖街道华利嘉电子市场B1C177/地址2：深圳市福田区华强北街道赛格广场6402B0755-89585609
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深圳市百域芯科技有限公司SI4447ADY-T1-GE3世纪汇都会轩45070755-82788062
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深圳市赛美科科技有限公司SI4447ADY-T1-E3广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A5950755-28309323
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SI4447ADY-T1-GE3P-Channel 40 V (D-S) MOSFET VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]的LOGO1003.08 Kbytes共9页SI4447ADY-T1-GE3的PDF下载地址无
SI4447ADY的全球分销商及价格
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Allied Electronics		SI4447ADY-T1-GE3Siliconix / VishayMOSFET P-CH 40V 7.2A 8SOIC+2500:$0.67
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Digi-Key 得捷电子		SI4447ADY-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 40V 7.2A 8SO$0.62000
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10:¥3.6838
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立创商城		SI4447ADYVBsemi(台湾微碧)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：16.1A(Tc) 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：10mΩ @ 10.2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：6.3W(Tc) 类型：P沟道1+:￥1.893
10+:￥1.3988
30+:￥1.308
100+:￥1.2173
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1000+:￥1.157
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立创商城		SI4447ADY-T1-GE3VISHAY(威世)MOS(场效应管)1+:￥3.09
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