系列：TrenchFET®

FET类型：P 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：3.3A（Ta）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：15V，10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：2.2V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：14nC @ 4.5V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：805pF @ 20V

Vgs（最大值）：±16V

功率耗散（最大值）：1.1W（Ta）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：72 毫欧 @ 4.5A，15V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

封装形式Package：SOIC-8

极性Polarity：P-CH

漏源极击穿电压VDSS：40V

连续漏极电流ID：3.3A

漏源极导通电阻RDS(ON)：54mOhms

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs