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SI4435DDY-T1-GE3 /MOSFET -30V Vds 20V Vgs SO-8
SI4435DDY-T1-GE3的规格信息
SI4435DDY-T1-GE3的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SO-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:11.4 A

Rds On-漏源导通电阻:24 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1 V

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:50 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:5 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:TrenchFET

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:SI4

晶体管类型:1 P-Channel

商标:Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:23 S

下降时间:12 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:8 ns

工厂包装数量:2500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:45 ns

典型接通延迟时间:10 ns

零件号别名:SI4435DDY-GE3

单位重量:187 mg

供应商SI4435DDY-T1-GE3
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深圳市水星电子有限公司SI4435DDY-T1-GE3地址1:深圳市龙岗区平湖街道华利嘉电子市场B1C177/地址2:深圳市福田区华强北街道赛格广场6402B0755-89585609
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深圳市芯幂科技有限公司SI4435DDY-T1-GE3深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
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现代芯城(深圳)科技有限公司SI4435DDY-T1-GE3www.nowchip.com0755-27381274
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深圳市星宇佳科技有限公司SI4435DDY-T1-GE3 MOS(场效应管)深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1004号南光大厦5100755-82717977-603
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李先生Email:2119980731@qq.com询价
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SI4435DDY-T1-GE3P-Channel 30-V (D-S) MOSFET VISHAY[Vishay Siliconix]VISHAY[Vishay Siliconix]的LOGO279.47 Kbytes共10页SI4435DDY-T1-GE3的PDF下载地址
SI4435DDY-T1-GE3的全球分销商及价格
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Allied Electronics
SI4435DDY-T1-GE3Siliconix / VishayMOSFET; P-Ch; Vds -30V; Vgs +/- 20V; Rds(on) 19.5mohm; Id -8.1A; SO-8; Pd 2.5W$0.75:
$0.35*:
元器件资料网-Allied Electronics的LOGO
Allied Electronics
SI4435DDY-T1-GE3Siliconix / VishayMOSFET, Power,P-Ch,VDSS -30V,RDS(ON) 0.015Ohm,ID -7A,SO-8,PD 1.5W,VGS+/-20V,-55C+2500:$0.42
+125000:$0.41
元器件资料网-Avnet Express的LOGO
Avnet Express
SI4435DDY-T1-GE3Vishay SiliconixP-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET - Tape and Reel2,500 : $0.2723
12,499 : $0.2638
24,999 : $0.2601
元器件资料网-Avnet Express的LOGO
Avnet Express
SI4435DDY-T1-GE3Vishay SemiconductorsVISSI4435DDY-T1-GE3 P-CHANNEL 30-V (D-S)2,500 : $0.332
10,000 : $0.3019
22,500 : $0.2767
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Chip One Exchange
SI4435DDY-T1-GE3Vishay Intertechnologies价格未公开
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Chip1Stop
SI4435DDY-T1-GE3Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 8.1A 8-Pin SOIC N T/R
RoHS : Compliant
5 : $0.749
100 : $0.446
1,000 : $0.319
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子
SI4435DDY-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 30V 11.4A 8SO$0.78000
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子
SI4435DDY-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 30V 11.4A 8-SOIC10 : $0.571
1 : $0.65
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element14 Asia-Pacific
SI4435DDY-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFETP CHDIODE30V8-SOIC
RoHS : Compliant
1 : $4.63
10 : $3.57
100 : $3.13
250 : $2.69
500 : $2.25
1,000 : $2.02
元器件资料网-Future Electronics的LOGO
Future Electronics
SI4435DDY-T1-GE3Vishay IntertechnologiesSi4435DDY Series 30 V 0.024 Ohm Surface Mount P-Channel Mosfet - SOIC-8
RoHS : Compliant
2,500 : $0.2144
5,000 : $0.2067
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Mouser 贸泽电子
SI4435DDY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET -30V Vds 20V Vgs SO-81:¥5.8421
10:¥4.6669
100:¥3.5369
500:¥2.9154
1,000:¥2.3391
2,500:¥2.1244
元器件资料网-RS Components的LOGO
RS Components
SI4435DDY-T1-GE3Vishay IntertechnologiesMOSFET P-Channel 30V 8.1A SOIC8价格未公开
元器件资料网-Verical的LOGO
Verical
SI4435DDY-T1-GE3Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 8.1A 8-Pin SOIC N T/R$0.1991
元器件资料网-立创商城的LOGO
立创商城
SI4435DDY-T1-GE3VISHAY(威世)连续漏极电流(Id)(25°C 时):11.4A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:24mΩ @ 9.1A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.5W 类型:P沟道1+:¥1.1291
10+:¥0.8442
30+:¥0.7918
100+:¥0.717315
500+:¥0.694714
1000+:¥0.683559