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SI4425DY /Single P-Channel, Logic Level, PowerTrenchTM MOSFET
SI4425DY的规格信息
SI4425DY的图片

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产品种类MOSFET

晶体管极性P-Channel

汲极/源极击穿电压- 30 V

闸/源击穿电压+/- 20 V

漏极连续电流- 11 A

电阻汲极/源极 RDS(导通)0.014 Ohms

配置Single Quad Drain Triple Source

最大工作温度+ 150 C

安装风格SMD/SMT

封装 / 箱体SOIC-8 Narrow

封装Reel

下降时间100 ns

正向跨导 gFS(最大值/最小值)32 S

最小工作温度- 55 C

功率耗散2.5 W

上升时间16 ns

工厂包装数量2500

典型关闭延迟时间50 ns

零件号别名SI4425DY_NL

供应商SI4425DY
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现代芯城(深圳)科技有限公司Si4425DY-T1-E3www.nowchip.com0755-27381274
18098996457
董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市芯幂科技有限公司SI4425DY深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市坤融电子有限公司SI4425DY航都大厦10I0755-23990975
17318082080,13510287235
肖瑶,树平Email:hzk@krchips.com询价
深圳和润天下电子科技有限公司SI4425DY深港合作区前湾一路1号A栋201室13378422395,19129491930蔡经理,张小姐Email:1139848500@qq.com询价
深圳市天卓伟业电子有限公司SI4425DY深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
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陈敏Email:3004201508@qq.com询价
深圳市亿鸿丰电子科技有限公司SI4425DY广东省深圳市华康大夏2栋210-219室0755-82714723
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谢先生Email:3003989381@qq.com询价
深圳市鑫晟源电子科技有限公司SI4425DY深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1006号航都大厦19层C实-单-专-线V+18938047708
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深圳市星宇佳科技有限公司SI4425DY-T1深圳市福田区华强北南光大厦5100755-82522195
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小柯Email:2851989182@qq.com询价
深圳市星宇佳科技有限公司SI4425DY-T1深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1004号南光大厦5100755-82717977-603
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集好芯城SI4425DY深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
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深圳市百域芯科技有限公司SI4425DY-T1-E3世纪汇都会轩45070755-82788062
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深圳市高捷芯城科技有限公司SI4425DY深圳市福田区航都大厦10B13352985419
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深圳诚思涵科技有限公司SI4425DY深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室0755-23947236/83015506
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深圳市浩睿泽电子科技有限公司SI4425DY深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
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芯莱德电子(香港)有限公司SI4425DY深圳市福田区航都大厦10L13352985419
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深圳市赛美科科技有限公司SI4425DY-T1广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A5950755-28309323
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深圳市亿鸿丰电子科技有限公司SI4425DY深圳市福田区华富路1046-1号华康大厦2栋2楼2100755-83230201
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SI4425DYSingle P-Channel, Logic Level, PowerTrenchTM MOSFET FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]的LOGO119.25 Kbytes共5页SI4425DY的PDF下载地址FDC658P,FDS6675,FDR858P,FDS6575,FDC658AP,FDR4420A,FDS6680,FDS6975,FDR8308P,FDS6685
SI4425DY-T1-E3P-Channel 30-V (D-S) MOSFET VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]的LOGO994.87 Kbytes共9页SI4425DY-T1-E3的PDF下载地址
SI4425DY-T1-E3&-11连续漏极电流(Id)(25°C 时):11.6A(Tc) 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:12.5mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):5.6W(Tc) 类型:P沟道VBsemi(台湾微碧)VBsemi(台湾微碧)的LOGO826.35 Kbytes共9页SI4425DY-T1-E3&-11的PDF下载地址
SI4425DY的全球分销商及价格
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SI4425DYFSC(RoHS)135 : $0.675
446 : $0.63
1,192 : $0.594
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SI4425DYVishay Siliconix价格未公开
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Digi-Key 得捷电子
SI4425DYFairchild SemiconductorP-CHANNEL MOSFET$0.73000
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Quest Components
SI4425DYVishay Siliconix MOSFET Transistor, P-Channel, SO3 : $2.0
1 : $2.5
元器件资料网-Quest Components的LOGO
Quest Components
SI4425DYFairchild Semiconductor Corporation MOSFET Transistor, P-Channel, SO1,232 : $0.625
268 : $0.65
1 : $2.5
元器件资料网-Quest Components的LOGO
Quest Components
SI4425DYFreescale Semiconductor MOSFET Transistor, P-Channel, SO1,334 : $0.66
770 : $0.75
1 : $2.4
元器件资料网-Quest Components的LOGO
Quest Components
SI4425DYVishay Siliconix MOSFET Transistor, P-Channel, SO1,251 : $2.1
770 : $2.4
1 : $6.0
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SI4425DY-T1-E3&-11VBsemi(台湾微碧)连续漏极电流(Id)(25°C 时):11.6A(Tc) 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:12.5mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):5.6W(Tc) 类型:P沟道1+:¥1.7575
10+:¥1.2987
30+:¥1.2144
100+:¥1.01709
500+:¥0.98343
1000+:¥0.96678