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SI4425DDY-T1-GE3 /MOSFET -30V Vds 20V Vgs SO-8
SI4425DDY-T1-GE3的规格信息
SI4425DDY-T1-GE3的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SO-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:19.7 A

Rds On-漏源导通电阻:9.8 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1.2 V

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:53 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:5.7 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:TrenchFET

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:SI4

晶体管类型:1 P-Channel

商标:Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:40 S

下降时间:9 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:9 ns

工厂包装数量:2500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:42 ns

典型接通延迟时间:12 ns

零件号别名:SI4425DDY-GE3

单位重量:187 mg

供应商SI4425DDY-T1-GE3
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深圳市威雅利发展有限公司SI4425DDY-T1-GE3华强北路1019号华强广场A16楼18124047120
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韩雪Email:3004202884@qq.com询价
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现代芯城(深圳)科技有限公司Si4425DDY-T1-GE3www.nowchip.com0755-27381274
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肖瑶,树平Email:hzk@krchips.com询价
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SI4425DDY-T1-GE3P-Channel 30-V (D-S) MOSFET VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]的LOGO991.43 Kbytes共9页SI4425DDY-T1-GE3的PDF下载地址
SI4425DDY-T1-GE3的全球分销商及价格
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Am2
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Digi-Key 得捷电子
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Digi-Key 得捷电子
SI4425DDY-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 30V 19.7A 8SO$0.95000
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Mouser 贸泽电子
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Mouser 贸泽电子
SI4425DDY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET -30V Vds 20V Vgs SO-81:¥6.9947
10:¥5.6387
100:¥4.2827
500:¥3.5369
2,500:¥3.5369
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Verical
SI4425DDY-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V 19.7A 5.7W 9.8mohm @ 10V2500+:¥2.42
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立创商城
SI4425DDY-T1-GE3VISHAY(威世)MOS(场效应管)1+:¥3.45
10+:¥2.57
30+:¥2.41
100+:¥2.24
500+:¥2.17
1000+:¥2.14