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SI4427BDY-T1-E3 /Single P-Channel 30 V 0.0105 Ohm Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8
SI4427BDY-T1-E3的规格信息
SI4427BDY-T1-E3的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

系列：TrenchFET®

FET类型：P 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：9.7A（Ta）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：2.5V，10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：1.4V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：70nC @ 4.5V

Vgs（最大值）：±12V

功率耗散（最大值）：1.5W（Ta）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：10.5 毫欧 @ 12.6A，10V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

封装形式Package：SOIC-8

极性Polarity：P-CH

漏源极击穿电压VDSS：30V

连续漏极电流ID：9.7A

漏源极导通电阻RDS(ON)：10.5mOhms

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs

供应商SI4427BDY-T1-E3
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现代芯城（深圳）科技有限公司SI4427BDY-T1-E3www.nowchip.com0755-27381274
18098996457		董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市芯幂科技有限公司SI4427BDY-T1-E3深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市天卓伟业电子有限公司SI4427BDY-T1-E3深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
17302670049		陈敏Email:3004201508@qq.com询价
深圳市星宇佳科技有限公司SI4427BDY-T1-E3深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1004号南光大厦5100755-82717977-603
13332931905		谢先生Email:2851989182@qq.com询价
深圳市斌腾达科技有限公司SI4427BDY-T1-E3深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
13049883113		赵小姐Email:zhujunbin163@163.com询价
集好芯城SI4427BDY-T1-E3深圳市福田区航都大厦25F4008626627
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集好芯城SI4427BDY-T1-E3深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
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深圳市百域芯科技有限公司SI4427BDY-T1-E3世纪汇都会轩45070755-82788062
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13352985419		木易Email:2881915365@qq.com询价
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13352985419，19076157484		杨先生Email:2881915365@qq.com询价
深圳市科思奇电子科技有限公司SI4427BDY-T1-E3上步工业区501栋1109-11100755-83245050
18923762408 “13538131418”		张小姐Email:szkesiqi@163.com询价
深圳市宇浩扬科技有限公司SI4427BDY-T1-E3深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
13826514222		余先生，张先生Email:grady4222@126.com询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司SI4427BDY-T1-E3深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
13725570869		朱小姐Email:szyctdz@163.com询价
深圳市瑞浩芯科技有限公司SI4427BDY-T1-E3深圳市福田区上步工业区501栋11030755-84875764
”13725596657“17503034873		曾先生Email:1153689911@qq.com询价
深圳市微碧半导体有限公司SI4427BDY-T1-E3-VB深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛 格科技园4栋东5层5020755-83204141
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深圳市华芯盛世科技有限公司SI4427BDY-T1-E3深圳市福田区上步工业区201栋530室0755-23941632
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万三科技（深圳）有限公司SI4427BDY-T1-E3深圳市龙华区民治街道新牛社区金地梅陇镇9栋4单元14C0755-23763516，18818598465
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SI4427BDY-T1-E3MOSFET 30V 13.3A 3WVishay / SiliconixVishay / Siliconix的LOGO161.86 Kbytes共8页SI4427BDY-T1-E3的PDF下载地址无
SI4427BDY-T1-E3MOSFET P-CH 30V 9.7A 8SOVishay SiliconixVishay Siliconix的LOGO158.87 Kbytes共8页SI4427BDY-T1-E3的PDF下载地址无
SI4427BDY-T1-E3连续漏极电流（Id）（25°C 时）：9.7A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：1.4V @ 250uA 漏源导通电阻：10.5mΩ @ 12.6A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.5W 类型：P沟道VISHAY(威世)VISHAY(威世)的LOGO160.56 Kbytes共8页SI4427BDY-T1-E3的PDF下载地址无
SI4427BDY-T1-E3的全球分销商及价格
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元器件资料网-Arrow(艾睿)的LOGO
Arrow(艾睿)		SI4427BDY-T1-E3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V 13.3A 3W2500+:￥3.59
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Digi-Key 得捷电子		SI4427BDY-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 30V 9.7A 8SO$1.49000
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		SI4427BDY-T1-E3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V 13.3A 3W2500+:￥3.59
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Future(富昌)		SI4427BDY-T1-E3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V 13.3A 3W2500+:￥3.59
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元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		SI4427BDY-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET 30V 13.3A 3W1:¥13.221
10:¥10.8367
100:¥8.2942
500:¥7.1868
1,000:¥5.6839
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元器件资料网-立创商城的LOGO
立创商城		SI4427BDY-T1-E3VISHAY(威世)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：9.7A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：1.4V @ 250uA 漏源导通电阻：10.5mΩ @ 12.6A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.5W 类型：P沟道1+:￥10.23
10+:￥7.54
30+:￥7.04
100+:￥6.55
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1000+:￥6.22
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