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SI4334DY-T1-GE3 /MOSFET 30V 14.8A 5.2W 13.5mohm @ 10V
SI4334DY-T1-GE3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

产品种类:MOSFET

晶体管极性:N-Channel

汲极/源极击穿电压:30 V

闸/源击穿电压:+/- 12 V

漏极连续电流:11.3 A

导通电阻:13.5 mOhms

配置:Single

最大工作温度:+ 150 C

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOIC-8 Narrow

封装:Reel

商标:Vishay / Siliconix

最小工作温度:- 55 C

功率耗散:3.1 W

工厂包装数量:2500

零件号别名:SI4334DY-GE3

ROHS: 含铅

供应商SI4334DY-T1-GE3
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