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SI4330DY-T1-E3 /Vishay Siliconix/分立半导体产品
SI4330DY-T1-E3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:2,500

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 阵列

系列:TrenchFET®

包装:带卷(TR)

FET 类型:2 个 N 沟道(双)

FET 功能:逻辑电平门

漏源极电压(Vdss):30V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):6.6A

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):16.5 毫欧 @ 8.7A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):20nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):-

功率 - 最大值:1.1W

安装类型:表面贴装

封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

供应商器件封装:8-SO

其它名称:SI4330DY-T1-E3TRSI4330DYT1E3

供应商SI4330DY-T1-E3
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深圳市坤融电子有限公司Si4330DY-T1-E3航都大厦10I0755-23990975
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肖瑶,树平Email:hzk@krchips.com询价
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深圳市赛美科科技有限公司SI4330DY-T1-E3广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A5950755-28309323
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深圳市仓实科技有限公司SI4330DY-T1-E3深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦310417080955875李先生Email:service@cangshixc.com询价
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SI4330DY-T1-E3Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET VISHAY[Vishay Siliconix]VISHAY[Vishay Siliconix]的LOGO235.78 Kbytes共9页SI4330DY-T1-E3的PDF下载地址
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SI4330DY-T1-E3VishayFET - 阵列 TrenchFET® 分立半导体产品5+:¥12.31
25+:¥11.23
100+:¥10.8
500+:¥9
1000+:¥7.491+:¥6.68
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SI4330DY-T1-E3Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 6.6A 8-Pin SOIC N T/R
RoHS : Compliant
100 : $1.2349
250 : $1.1776
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SI4330DY-T1-E3Vishay IntertechnologiesUnidentified
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SI4330DY-T1-E3VishayFET - 阵列 TrenchFET® 分立半导体产品5+:¥12.31
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100+:¥10.8
500+:¥9
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250+:¥8.09
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Verical
SI4330DY-T1-E3VishayFET - 阵列 TrenchFET® 分立半导体产品5+:¥12.31
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10+:¥10.92
25+:¥9.92
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