系列：TrenchFET®
FET类型：P 沟道
技术：MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：950mA（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：6V，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：4V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：18nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：500pF @ 50V
Vgs（最大值）：±20V
功率耗散（最大值）：2W（Ta），3.2W（Tc）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：1.61 欧姆 @ 900mA，10V
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
封装形式Package：TSOP
极性Polarity：P-CH
漏源极击穿电压VDSS：200V
连续漏极电流ID：0.75A
无铅情况/RoHs：否