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SI3464DV-T1-GE3 /
SI3464DV-T1-GE3的规格信息
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图像仅供参考，请参阅规格书

系列：TrenchFET®

FET类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：8A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：1.8V，4.5V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：1V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：18nC @ 5V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：1065pF @ 10V

Vgs（最大值）：±8V

功率耗散（最大值）：2W（Ta），3.6W（Tc）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：24 毫欧 @ 7.5A，4.5V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6

封装形式Package：TSOP

极性Polarity：N-CH

漏源极击穿电压VDSS：20V

连续漏极电流ID：7.5A

无铅情况/RoHs：否

供应商SI3464DV-T1-GE3
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现代芯城（深圳）科技有限公司Si3464DV-T1-GE3www.nowchip.com0755-27381274
18098996457		董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市芯幂科技有限公司SI3464DV-T1-GE3深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774
13267088774 (微信同号)		Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
芯莱德电子（香港）有限公司SI3464DV-T1-GE3深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419，19076157484		杨先生Email:2881915365@qq.com询价
深圳市高捷芯城科技有限公司SI3464DV-T1-GE3深圳市福田区航都大厦10B13352985419
13352985419		木易Email:2881915365@qq.com询价
深圳市成源运利电子科技有限公司Si3464DV-T1-GE3深圳市福田区华强路东方时代广场A2705159-13992480
15913992480		林先生Email:244673889@qq.com询价
深圳和润天下电子科技有限公司SI3464DV-T1-GE3深港合作区前湾一路1号A栋201室13378422395，19129491930蔡经理，张小姐Email:1139848500@qq.com询价
深圳市天卓伟业电子有限公司Si3464DV-T1-GE3深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
17302670049		陈敏Email:3004201508@qq.com询价
深圳市坤融电子有限公司SI3464DV-T1-GE3航都大厦10I0755-23990975
13926529829，17318082080		肖瑶，树平Email:hzk@krchips.com询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司SI3464DV-T1-GE3深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
13725570869		朱小姐Email:szyctdz@163.com询价
深圳市赛美科科技有限公司SI3464DV-T1-GE3广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A5950755-28309323
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深圳市宇浩扬科技有限公司SI3464DV-T1-GE3深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
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集好芯城SI3464DV-T1-GE3深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-82564006
18188616613		郑小姐Email:sam@678ic.com询价
集好芯城SI3464DV-T1-GE3深圳市福田区航都大厦25F4008626627
13360071553		陈泽辉Email:sam@678ic.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司SI3464DV-T1-GE3深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
18126117392		陈晓玲skype:sam@678IC.COMEmail:sam@678ic.com询价
深圳市华芯盛世科技有限公司SI3464DV-T1-GE3深圳市福田区上步工业区201栋530室0755-23941632
13723794312		朱先生Email:PHZHUJUNWEI@163.COM询价
深圳市斌腾达科技有限公司SI3464DV-T1-GE3深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
13049883113		赵小姐Email:zhujunbin163@163.com询价
深圳市辰芯伟业科技有限公司Si3464DV-T1-GE3华强北路新华强广场B座27D0755-83238360
13603072128		陈Email:517368904@QQ.COM询价
深圳市科思奇电子科技有限公司SI3464DV-T1-GE3上步工业区501栋1109-11100755-83245050
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深圳诚思涵科技有限公司SI3464DV-T1-GE3深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室0755-23947236/83015506
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深圳市全秀电子有限公司Si3464DV-T1-GE3东久创新科技园6栋12楼整层13129599479
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SI3464DV-T1-GE3N-Channel 20-V (D-S) MOSFET VISHAY[Vishay Siliconix]VISHAY[Vishay Siliconix]的LOGO235.1 Kbytes共11页SI3464DV-T1-GE3的PDF下载地址无
SI3464DV-T1-GE3的全球分销商及价格
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元器件资料网-Allied Electronics的LOGO
Allied Electronics		SI3464DV-T1-GE3Siliconix / VishaySI3464DV-T1-GE3 N-channel MOSFET Transistor; 8 A; 20 V; 6-Pin TSOP+300:$0.56
+600:$0.51
+1500:$0.46
+3000:$0.41
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Avnet Express		SI3464DV-T1-GE3Vishay SiliconixN-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET - Tape and Reel3,000 : $0.1999
14,999 : $0.1855
29,999 : $0.1815
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		SI3464DV-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 20V 8A 6TSOP$0.65000
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		SI3464DV-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 20V 8A 6-TSOP15,000 : $0.18225
6,000 : $0.19575
3,000 : $0.20925
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		SI3464DV-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品3000+:￥1.53
6000+:￥1.42
15000+:￥1.32
30000+:￥1.26
75000+:￥1.23
150000+:￥1.1799
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		SI3464DV-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品3000+:￥1.53
6000+:￥1.42
15000+:￥1.32
30000+:￥1.26
75000+:￥1.23
150000+:￥1.17991+:￥3.65
10+:￥2.73
100+:￥2.04
500+:￥1.72
1000+:￥1.5199
3000+:￥1.46
6000+:￥1.46
9000+:￥1.34
24000+:￥1.3
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		SI3464DV-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 20V Vds 8V Vgs TSOP-61:¥4.8364
10:¥3.7516
100:¥2.7798
500:¥2.2939
1,000:¥1.7628
3,000:¥1.7628
元器件资料网-Newark element14的LOGO
Newark element14		SI3464DV-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET, N-CH, 20V, 8A, TSOP-6, FULL REEL; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:8A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):0.02ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:450mV ;RoHS Compliant: Yes12,000 : $0.168
元器件资料网-Verical的LOGO
Verical		SI3464DV-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品3000+:￥1.53
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15000+:￥1.32
30000+:￥1.26
75000+:￥1.23
150000+:￥1.17991+:￥3.65
10+:￥2.73
100+:￥2.04
500+:￥1.72
1000+:￥1.5199
3000+:￥1.46
6000+:￥1.46
9000+:￥1.34
24000+:￥1.310+:￥3.11
25+:￥2.8
100+:￥2.46
250+:￥2.19
500+:￥1.89
1000+:￥1.5001
元器件资料网-立创商城的LOGO
立创商城		SI3464DV-T1-GE3VISHAY(威世)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：8A(Tc) 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：24mΩ @ 7.5A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.6W(Tc) 类型：N沟道1+:￥1.37
10+:￥1.34
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