SI3471CDV-T1-GE3
/MOSFET 12V 8.0A 3.8W 27mohm @ 4.5V
SI3471CDV-T1-GE3的规格信息
产品种类：MOSFET
晶体管极性：P-Channel
汲极/源极击穿电压：12 V
闸/源击穿电压：+/- 8 V
漏极连续电流：8 A
导通电阻：27 mOhms
配置：Single
最大工作温度：+ 150 C
安装风格：SMD/SMT
封装 / 箱体：TSOP-6
封装：Reel
商标：Vishay / Siliconix
最小工作温度：- 55 C
功率耗散：2 W
工厂包装数量：3000
零件号别名：SI3471CDV-GE3
ROHS： 无铅
SI3471CDV-T1-GE3
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| SI3471CDV-T1-GE3 | MOSFET 12V 8.0A 3.8W 27mohm @ 4.5V | Vishay / Siliconix |  | 118.95 Kbytes | 共7页 |  | 无 |
SI3471CDV-T1-GE3的全球分销商及价格
| 销售商 | 型号 | 制造商 | 功能描述 | 价格 |
Mouser 贸泽电子 | SI3471CDV-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 12V 8.0A 3.8W 27mohm @ 4.5V | 1:¥5.0737
10:¥3.8872
100:¥2.8928
500:¥2.373
3,000:¥1.6724
6,000:查看
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