系列：TrenchFET®

FET类型：P 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：8A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：1.8V，4.5V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：1V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：65nC @ 8V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：2010pF @ 6V

Vgs（最大值）：±8V

功率耗散（最大值）：4.2W（Tc）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：22 毫欧 @ 8.1A，4.5V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6

封装形式Package：TSOP-6

极性Polarity：P-CH

漏源极击穿电压VDSS：12V

连续漏极电流ID：8A

漏源极导通电阻RDS(ON)：22mOhms

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs