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SI3440ADV-T1-GE3 /MOSFET 150V Vds 20V Vgs TSOP-6
SI3440ADV-T1-GE3的规格信息
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图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TSOP-6

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:150 V

Id-连续漏极电流:2.2 A

Rds On-漏源导通电阻:380 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:4 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:3.6 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:ThunderFET

晶体管类型:1 N-Channel

商标:Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:2.4 S

下降时间:22 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:22 ns

工厂包装数量:1

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:9 ns

典型接通延迟时间:8 ns

供应商SI3440ADV-T1-GE3
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Digi-Key 得捷电子		SI3440ADV-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 150V 2.2A 6TSOP$0.49000
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