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SI1416EDH-T1-BE3 /MOSFET N-CH 30V 3.9A/3.9A SC70-6
SI1416EDH-T1-BE3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

SeriesTrenchFET®

PackageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®

FET TypeN-Channel

TechnologyMOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)30 V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.9A (Ta), 3.9A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)-

Rds On (Max) @ Id, Vgs58mOhm @ 3.1A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id1.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs12 nC @ 10 V

Vgs (Max)±12V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds-

FET Feature-

Power Dissipation (Max)1.56W (Ta), 2.8W (Tc)

Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)

Mounting TypeSurface Mount

Supplier Device PackageSC-70-6

Package / Case6-TSSOP, SC-88, SOT-363

供应商SI1416EDH-T1-BE3
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