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SI1413EDH-T1-E3/BKN /MOSFET; P-CH 20V@2.5VGS ESD Protected
SI1413EDH-T1-E3/BKN的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

Channel TypeP

ConfigurationQuad Drain

Dimensions2.2 x 1.35 x 1 mm

Drain Current-1.6 A

Drain to Source On Resistance0.22 Ω

Drain to Source Voltage-20 V

Forward Transconductance6 S

Forward Voltage, Diode-1.1 V

Gate to Source Voltage±12 V

Height0.039" (1mm)

Length0.086" (2.2mm)

Maximum Operating Temperature+150 °C

Minimum Operating Temperature-55 °C

Mounting TypeSurface Mount

Number of Elements per Chip1

Number of Pins6

Package TypeSC-70

Power Dissipation1 W

SeriesSI14 Series

Temperature Operating Range-55 to +150 °C

Turn Off Delay Time3.9 ns

Turn On Delay Time0.75 ns

Typical Gate Charge @ Vgs5.6 nC @ -4.5 V

Width0.053" (1.35mm)

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