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SI1067X-T1-GE3 /Vishay Siliconix/分立半导体产品
SI1067X-T1-GE3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:3,000

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 单

系列:TrenchFET®

包装:带卷(TR)

FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物

FET 功能:逻辑电平门

漏源极电压(Vdss):20V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):-

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):150 毫欧 @ 1.06A,4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):950mV @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):9.3nC @ 5V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):375pF @ 10V

功率 - 最大值:236mW

安装类型:表面贴装

封装/外壳:SOT-563,SOT-666

供应商器件封装:SC-89-6

供应商SI1067X-T1-GE3
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SI1067X-T1-GE3P-Channel 20-V (D-S) MOSFET VISHAY[Vishay Siliconix]VISHAY[Vishay Siliconix]的LOGO103.97 Kbytes共6页SI1067X-T1-GE3的PDF下载地址SI5945DU,SI7601DN,SI7703EDN,SI6983DQ,SIA811DJ,SI2351DS,SI5509DC,SI1016X_08,SI1023X_08,SI1031R_08
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SI1067X-T1-GE3Vishay半导体 MOSFET 20V 1.06A 0.0236W 150 mohms @ 4.5V FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品价格未公开
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